东芝推出新款12V共漏极N沟道MOSFET 助力移动设备电池保护

【ITBEAR科技资讯】5月18日消息,东芝电子元件及存储装置株式会社(以下简称"东芝")在今日宣布推出一款名为"SSM14N956L"的新型电子器件。该器件为一款12V共漏极N沟道MOSFET,额定电流为20A,主要应用于移动设备锂离子电池组的电池保护电路。该产品从今日起开始提供批量出货。

【最新消息】5月18日消息,东芝电子设备与存储有限公司(以下简称“东芝”)今天宣布推出一款名为“SSM14N956L”的新型电子设备。该器件为12V共漏n沟道MOSFET,额定电流为20A,主要用于移动设备锂离子电池组的电池保护电路。今天开始批量出货。

东芝推出新款12V共漏极N沟道MOSFET 助力移动设备电池保护

为了提高锂离子电池组的安全性,高稳定的保护电路必不可少。这些电路需要具有低功耗和高密度封装的特点,并要求mosfet体积小、厚度薄、导通电阻低。

东芝推出新款12V共漏极N沟道MOSFET 助力移动设备电池保护

SSM14N956L采用了东芝专有的微机械加工工艺,与之前发布的SSM10N954L相同。该器件以行业领先的低导通电阻特性实现低功耗,同时通过行业领先的低栅源漏电流特性降低待机功耗。这些功能有助于延长电池寿命。此外,新产品还采用了一种名为tcspeed -302701的新型紧凑薄包装(尺寸2.74mm×3.0mm,厚度约0.085mm)。

东芝推出新款12V共漏极N沟道MOSFET 助力移动设备电池保护

根据最新消息,东芝新推出的电子器件SSM14N956L将为移动设备中锂离子电池组的保护电路提供更可靠、高效的解决方案。其低功耗和高密度的封装特性将有助于减少电池组充放电时产生的热量,进一步提高电池组的安全性能。该产品不仅在导通电阻和待机功耗方面达到行业领先水平,而且在移动设备的设计方面提供了更大的灵活性。东芝的技术创新将进一步推进移动设备电池技术的发展,满足用户对长寿命和安全的需求。

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