三星发布功耗降低23%的12纳米DDR5 DRAM,助力能源节约

【ITBEAR科技资讯】05月18日消息,三星今日宣布,他们已经开始大规模生产12纳米工艺的DDR5 DRAM芯片,这是在去年12月三星首次宣布开发16Gb DDR5 DRAM之后的重要进展。

【最新消息】三星今天宣布,他们已经开始量产12纳米制程DDR5 DRAM芯片,这是继去年12月三星首次宣布开发16Gb DDR5 DRAM之后的一个重要进展。

根据三星的新闻稿,新的DDR5芯片与上一代相比,功耗降低了23%,同时晶圆生产力提高了20%。这意味着新一代芯片比上一代功耗更低,单个晶圆可以生产更多芯片,进一步提高生产效率。

12纳米的DDR5 DRAM芯片的最高速度为7.2Gbps,每秒可以处理60GB的数据。根据最新消息,这使得该芯片能够满足数据中心、人工智能和新兴计算应用的需求。

三星发布功耗降低23%的12纳米DDR5 DRAM,助力能源节约

三星表示,16Gb DDR5 DRAM的低功耗特性将使服务器和数据中心运营商减少能源消耗和碳足迹。此外,该芯片采用了一种新颖的高k材料,使芯片能够准确区分数据信号的差异,从而实现12 nm节点的制造。

这一系列的创新和突破将进一步巩固三星在存储芯片领域的领先地位。三星电子在12纳米工艺的DDR5 DRAM量产方面取得了重大进展,为数据处理的高速高效提供了更可靠、更先进的解决方案。随着市场对存储需求的不断增长,三星新一代DDR5 DRAM芯片将在数据中心和计算领域发挥重要作用,为行业进步做出贡献。

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